株洲艾森达新材料科技有限公司
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氮化硅基板
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参考报价:
面议
品牌:
株洲艾森达
关注度:
832
样本:
暂无
型号:
氮化硅基板
产地:
湖南
信息完整度:
典型用户:
暂无
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品牌传达企业理念
产品简介

产品优势

♦ 氮化硅基板与氮化铝和氧化铝基板相比,具有两倍以上的抗弯强度

♦ 与氧化铝和ZTA基板相比具有三倍以上的热导率

♦ 具有高的绝缘性和与Si相匹配的热膨胀系数

♦ 优异的抗热震性能和高强度

参数指标

ASD陶瓷基板材料特性

材料牌号

ASD-996

ASD-ZTA

ASD-170

ASD-200

ASD-230

ASD-HS

ASD-Si3N4

Al2O3含量

wt

%

99.6%

Al2O3/ZrO2

AlN

AlN

AlN

AlN

Si3N4

外观

-

-

白色致密

白色致密

浅灰色致密

米黄色致密

米黄色致密

深灰色致密

深灰色致密

表面粗糙度

Ra

μm

<0.6

<0.6

<0.6

<0.6

<0.6

<0.6

<0.6

表观密度

排水法

g/cm3

≥3.85

≥3.95

≥3.3

≥3.3

≥3.3

≥3.3

≥3.2

光反射率

400nm/1mm

%

83

97

-

-

-

-

-

机械性能

抗弯强度

三点抗弯

MPa

>500

>650

>400

>350

>300

>550

>700

断裂韧性

压痕法

MPa﹡m1/2

3

4.0

3.0

3.0

3.0

3.0

6.5-7

维氏硬度

裁荷4.9 N

GPa

16

15

11

11

11

11

15.0

杨氏模量

拉伸法

GPa

300

310

320

320

320

320

310.0

热性能

热照胀系数

25 ~ 800℃

×10-6/ k

7.9

8.0

4.6-5.2

4.6-5.2

4.6-5.2

4.6-5.2

2.5-3.1

热导率

25℃

W/(m・k)

>29

>27

>170

>200

>230

>150

>80

抗热震性

800℃

≥10次

无裂纹

无裂纹

无裂纹

-

-

无裂纹

无裂纹

比热

25℃

J/(kg∙k)

780

720

720

720

720

720

680

电性能

介电常数

1 MHz, 25℃

-

9.5-10.5

9.5-10.5

8-10

8-10

8-10

8-10

7.8

介电损耗

1 MHz. 25℃

×10-4

≤2

≤3

≤3

≤3

≤3

≤3

≤4

体枳电阻

25℃

Ω∙ cm

>1014

>1014

>1014

>1014

>1014

>1014

>1014

击穿电压

DC

KV/mm

>15

>15

≥20

≥20

≥20

≥20

>15

 

 

ASD陶瓷基板规格尺寸

厚度规格(mm)

尺寸(mm)


50.8*50.8

76.2*76.2

101.6*101.6

114.3*114.3

120*120

140*190

150*150

0.1

3

——

——

——

——

——

——

0.15

3

——

——

——

——

——

——

0.2

3

3

3

——

——

——

——

0.245

3

3

3

3

3

——


0.32

1/2/3/6/7

1/2/3/6/7

1/2/3/6/7

1/2/3/6/7

1/2/3/6/7

1/2/3/6/7

——

0.337

3/4/5

3/4/5

3/4/5

3/4/5

3/4/5

——

——

0.35

3/4/5

3/4/5

3/4/5

3/4/5

3/4/5

——

——

0.381

3/4/5

3/4/5

3/4/5

3/4/5

3/4/5

——

——

0.5

3/4/5

3/4/5

3/4/5

3/4/5

3/4/5

1/2/3/6/7

——

0.635

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

0.762

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3/

1/2/3

1

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1.5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

1/2/3/4/5

2

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3/

1/2/3

3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3/

1/2/3

4

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3

1/2/3/

1/2/3

备注

1、ASD-996,2、ASD-ZTA,3、ASD-170,4、ASD-200,5、ASD-230,6、ASD-HS,7、ASD-Si3O4

Si3N4陶瓷基板具备高强度、高导热、耐高温、高耐磨性、抗氧化、热膨胀系数低和抗热震等性能,同时具有较好的气密性,可隔离水汽、氧气和灰尘等特点,成为大功率半导体器件基板的**材料,被广泛应用到功率集成电路中。

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